Ingénieur de Recherche - Matériiaux de Mott Mà la Nanoéchelle pour le Neuromorphique H/F CNRS

Détail du poste

Les systèmes neuromorphiques sont très prometteurs pour réduire la consommation d'énergie et créer de nouvelles applications hors de portée des ordinateurs conventionnels. À ce jour, chaque neurone artificiel est composé de milliers de transistors. L'utilisation d'isolants de Mott, une classe de matériaux aux propriétés non linéaires fascinantes, pourrait réduire considérablement la complexité du circuit, en ramenant le nombre de composants par neurone et par synapse à un seul.
Le projet vise à mettre au point une écriture de circuit accessible, en balayant une pointe conductrice polarisée à l'échelle nanométrique. Cela a déjà été démontré par microscopie à effet tunnel (STM), et pourrait également être réalisé en utilisant un microscope à force atomique équipé d'une pointe conductrice (C-AFM). Une bonne compréhension et un contrôle des transitions électro-induites dans les matériaux de Mott (cristaux de GaTa4Se8 ou TaS2, films de V2O3 ou TaSe2) seront d'abord développés. L'objectif du projet est la réalisation de circuits neuromorphiques monolithiques complets par impulsion électrique à la surface des matériaux de Mott. Un projet exploratoire sur les circuits supraconducteurs inscrits à la surface de GaTa4Se8 peut également être ciblé en fonction de l'expertise du candidat.
La bourse est financée par le CPER IMITECHActivités
L'activité sera adapté en fonction de l'expertise et des motivations du candidat ou de la candidate. Elle portera sur l'étude par microscopie en champ proche de la transition résistive par impulsion électrique dans les matériaux de Mott, et la réalisation de composants élémentaires de MottroniqueCompétences
Un doctorat en physique ou dans une discipline connexe et une expérience en physique de l'état solide sont requis. Nous recherchons un candidat F/H talentueux et enthousiaste, doté d'excellentes compétences analytiques et d'une expérience avérée dans un ou plusieurs des domaines suivants :

- Commutation résistive
- Microscopie et spectroscopie en champ proche
- Systèmes électroniques fortement corrélés
- Mise en oeuvre de dispositifs neuromorphiques
- Supraconductivité à base de matériaux de Mott

Contexte de travail





L'équipe Physics of Nanostructure Devices travaille sur les propriétés électriques et optiques de nanomatériaux prometteurs, avec des approches à la fois fondamentales et orientées vers les dispositifs. Nous avons actuellement 4 chercheurs permanents, 1 ingénieur de recherche, 1 Postdoc et 3 doctorants, qui travaillent en étroite collaboration avec tous les membres du groupe Physique.

L'IEMN est un institut de recherche créé par le Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), deux universités et une école d'ingénieurs de la région Nord de la France. L'IEMN fait partie du réseau RENATECH et à ce titre, les équipements pour la conception, la fabrication et la caractérisation des micro/nano dispositifs sont au meilleur niveau européen. L'institut compte un effectif total d'environ 500 personnes dont 150 chercheurs permanents, 100 ingénieurs et agents administratifs, environ 150 doctorants. Le laboratoire est très ouvert aux collaborations internationales ; plus de 100 scientifiques étrangers provenant de 20 pays différents travaillent actuellement à l'IEMN. L'activité scientifique de l'IEMN couvre un large domaine allant de la physique des matériaux et des nanostructures aux micro-ondes, aux télécommunications et à l'instrumentation acoustique.

La ville de Lille. Lille offre un cadre de vie attractif tout en étant une ville étudiante de plus d'un million d'habitants. De plus, elle se situe au carrefour de trois capitales européennes (Paris, Londres et Bruxelles étant accessibles en une heure de train).

Website : https://www.iemn.fr/la-recherche/les-groupes/physique/nanostructures-quantum

Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESRContraintes et risques

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